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WM02N08F
N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:20V 电流:0.75A
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- 描述
- 特性：VDS = 20V。 ID = 0.75A。 RDS(on) < 0.38Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(on) < 0.45Ω @ VGS = 2.5V。 沟槽低压MOSFET技术。 ESD保护
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WM02N08F
- 商品编号
- C3030941
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 26.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品概述
WMOS™ C4是第四代超结MOSFET产品系列，采用电荷平衡技术，实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOS™ C4适用于要求卓越功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 最大结温下VDS = 700 V
- 典型RDS(on) = 0.08 Ω
- 100%进行UIS测试
- 无铅镀层、无卤素
应用领域
- LED照明-充电器-适配器-个人电脑-液晶电视-服务器