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WMO175N10LG2
N沟道增强型功率MOSFET N沟道 耐压:100V 电流:44A
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- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WMO175N10LG2
- 商品编号
- C3030934
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.052克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.17nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 355pF |
商品概述
WMO175N10LG2采用了韦尔的第二代功率沟槽MOSFET技术，该技术经过专门设计，可在保持卓越开关性能的同时，最大程度地降低导通电阻。该器件非常适合高效率快速开关应用。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 44A（硅极限）
- RDS(on) < 17.5mΩ，VGS = 10V时
- RDS(on) < 25.0mΩ，VGS = 4.5V时
- 提供绿色环保器件
- 100%保证EAS
- 低栅极电荷
- 高速开关
应用领域
- DC/DC转换器
- 电源管理开关
- LED背光