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WM02DN48M3
双N沟道,电流:4.8A,耐压:20V
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- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WM02DN48M3
- 商品编号
- C3030933
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC | |
| 输入电容(Ciss) | 515pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 73pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20 V，漏极电流（ID） = 7 A
- 当栅源电压（VGS） = 4.5 V 时，导通电阻（RDS(on)） < 25 mΩ
- 当栅源电压（VGS） = 2.5 V 时，导通电阻（RDS(on)） < 30 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 静电防护