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WM02N31M
N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:20V 电流:3.1A
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- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WM02N31M
- 商品编号
- C3030927
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 54pF |
商品概述
超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，按照超结（SJ）原理设计。由此制成的器件具有极低的导通电阻，特别适合需要卓越功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 极低的品质因数RDS(on) × Qg
- 经过100%非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正（PFC）
- 开关电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）