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WM03N58M
N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 特性：小信号MOSFET。 VDS = 30V。 ID = 5.8A。 RDS(on) < 35mΩ @ VGS = 10V。 RDS(on) < 40mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(on) < 52mΩ @ VGS = 2.5V。 沟槽功率低压MOSFET技术
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WM03N58M
- 商品编号
- C3030906
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品特性
- 在VGS = -10 V时，RDS(导通) < 180 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(导通) < 260 mΩ
- VDS = -60 V，ID = -1.7 A
- 沟槽MOSFET技术
- 低栅极电荷
- 极快速开关
- 无铅器件
- P沟道MOSFET