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WM02N70M
N沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- 特性：VDS = 20V, ID = 7A。RDS(on) < 25mΩ @ VGS = 4.5V。RDS(on) < 30mΩ @ VGS = 2.5V。高功率和电流处理能力。ESD保护
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WM02N70M
- 商品编号
- C3030911
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF@10V | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
采用先进沟槽技术设计的P沟道功率MOSFET。该器件具备出色的栅极电荷和导通电阻RDS(on)，可大幅降低开关和传导损耗。因此，它非常适用于AC/DC电源转换、照明和工业电源应用。其封装形式为SOP-8，符合RoHS标准。
商品特性
- 低品质因数RDS(on) × Qgd
- 100%雪崩测试
- 易于使用/驱动
- 符合RoHS标准
应用领域
- 适配器和充电器的电源开关电路-电池保护充放电-笔记本电脑AC输入负载开关