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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WMK36N60C4

600V, 36A, 650V 超级结功率MOSFET

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描述
WMOS™ C4是第四代超结MOSFET产品系列,它采用电荷平衡技术,具备极低的导通电阻和栅极电荷性能。WMOS™ C4适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
商品型号
WMK36N60C4
商品编号
C3030923
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.794克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)36A
导通电阻(RDS(on))97mΩ@10V
耗散功率(Pd)277W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)14.2nC@10V
输入电容(Ciss)2.25nF
反向传输电容(Crss)2.8pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 最大结温(Tj)下,VDS = 650 V
  • 典型导通电阻RDS(on) = 0.08 Ω
  • 100%经过非钳位感性开关(UIS)测试
  • 无铅镀层,无卤素

应用领域

  • LED照明
  • 充电器
  • 适配器
  • 个人电脑(PC)
  • 液晶电视(LCD TV)
  • 服务器

数据手册PDF