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WMQ50P03T1
P沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- WMQ50P03T1采用先进的功率沟槽技术，该技术经过特别设计，可在最大程度降低导通电阻的同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WMQ50P03T1
- 商品编号
- C3030897
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.52nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 370pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 465pF |
商品概述
超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。由此产生的器件具有极低的导通电阻，特别适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -50A
- 在VGS = -10V时,RDS(on) < 9mΩ
- 在VGS = -4.5V时,RDS(on) < 14mΩ
- 提供环保器件
- 栅极电荷低
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 100%保证EAS
应用领域
-电源管理开关-电池保护应用