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STP220N6F7
1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
- 描述
- N沟道60 V、0.0021 mOhm典型值、120 A STripFET F7功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP220N6F7
- 商品编号
- C2969794
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.934克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 237W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.88nF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，不仅具有极低的导通电阻，还能降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 市场上极低的 RDS(on)
- 出色的品质因数(FoM)
- 低 Crss / Ciss 比,具备抗电磁干扰能力
- 高雪崩耐量
应用领域
-开关应用