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STR2P3LLH6
1个P沟道 耐压:30V 电流:2A
- 描述
- P沟道30 V、0.048 Ohm典型值、2 A STripFET H6功率MOSFET，SOT-23封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STR2P3LLH6
- 商品编号
- C2969791
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 639pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 79pF |
商品概述
该器件是采用STripFET F3技术开发的N沟道功率MOSFET。其设计旨在最大限度地降低导通电阻和栅极电荷，以提供卓越的开关性能。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 逻辑电平VGS(th)
- 最高结温175 °C
- 100%雪崩额定
- 可焊侧翼封装
应用领域
- 开关应用