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STD40P8F6AG
1个P沟道 耐压:80V 电流:40A
- 描述
- 汽车级P沟道-80 V、18.5 mOhm典型值、-40 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD40P8F6AG
- 商品编号
- C2969776
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.112nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 188pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 366pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个1个/圆盘
总价金额：
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