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FH3415X
P沟道增强型MOSFET 耐压:30V 电流:4.9A
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- 描述
- 是P沟道增强型MOSFET，采用沟槽技术，采用塑料封装(SOT-23)。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3415X
- 商品编号
- C2929027
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 148pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 162pF |
商品概述
FH8810采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。它具备ESD保护功能。
商品特性
- VDS = 20V，D = 8A
- RDS(ON) < 18 mΩ（最大值）@ VGS = 4.5 V
- RDS(ON) < 23 mΩ（最大值）@ VGS = 2.5 V
- ESD等级：2000V HBM
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- 单向负载开关
- 双向负载开关