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FH1810G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FH1810G

N沟道增强型功率MOSFET,电流:80A,耐压:100V

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品牌名称
鑫飞宏
商品型号
FH1810G
商品编号
C2929044
商品封装
PDFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.173克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))4.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)35W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)71nC@10V
输入电容(Ciss)3.53nF
反向传输电容(Crss)40pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)582pF

商品概述

NCE3400X采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通状态漏源电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻(Rdson)
  • 雪崩电压和电流特性全面表征
  • 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
  • 出色的封装,散热性能良好

应用领域

-电机驱动器-电源开关应用-计算机领域的DC/DC转换器-电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器

数据手册PDF