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FH8205A
N沟道增强型MOSFET 2个N沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH8205A
- 商品编号
- C2929075
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.113克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 802pF@8V | |
| 反向传输电容(Crss) | 122pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
FH3117是采用沟槽技术、塑料封装（SOT-23-3L）的P沟道增强型MOSFET。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -6.2A
- RDS(ON)（典型值）= 19 mΩ @ VGS = -10V
- RDS(ON)（典型值）= 23 mΩ @ VGS = -4.5V
- 逻辑电平兼容
- 贴片封装（SOT-23-3L）
- 沟槽技术
- 快速开关
应用领域
- 高速开关
- DC-DC转换器
- 锂离子电池