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EG1160

高压大电流半桥驱动芯片

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描述: 高压大电流半桥驱动芯片 EG1160是一款高性价比的多功能半桥驱动芯片，内部集成了5V线性电源、运放放大器、MOS管峰值电流保护、VCC欠压保护、VB欠压保护、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，非常适合电源、电机等场合使用。 EG1160高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于1.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/- 2A/2.5A，采用SOP16封装。
品牌名称: EG(屹晶微)
商品型号: EG1160
商品编号: C2929081
商品封装: SOP-16
包装方式: 编带
商品毛重: 0.28克(g)

商品参数

商品概述

EG1160是一款高性价比的多功能半桥驱动芯片，内部集成了5V线性电源、运放放大器、MOS管峰值电流保护、VCC欠压保护、VB欠压保护、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，非常适合电源、电机等场合使用。 EG1160高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于1.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/- 2A/2.5A，采用SOP16封装。

商品特性

高端悬浮自举电源设计，耐压可达600V
适应5V、3.3V输入电压
最高频率支持500KHZ
低端VCC电压范围10V - 20V
输出电流能力I0+/- 2A/2.5A
高端MOS管逐周峰值电流保护
低端MOS管逐周峰值电流保护
内建死区控制电路
自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通
HIN输入通道高电平有效，控制高端HO输出
LIN输入通道高电平有效，控制低端LO输出
低端电源VCC欠压保护
高端电源VB欠压保护
封装形式：SOP16

应用领域

正弦波逆变器
太阳能控制器
工业控制系统
数码发电机
无刷电机驱动器
高压Class - D类功放

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	2A
	拉电流(IOH)	2.5A
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	120ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	80ns
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	特性	欠压保护(UVP)；过流保护(OCP)
	工作温度	-45℃~+125℃
	输入低电平(VIL)	-300mV~1V
	静态电流(Iq)	1mA