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EG2123A

三相独立半桥驱动芯片

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描述: 三相独立半桥驱动芯片 EG2123A是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2123A高端的工作电压可达260V，低端VCC的电源电压范围宽7V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个下拉和上拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+0.8A/-1.2A，采用TSSOP20和QFN20封装。
品牌名称: EG(屹晶微)
商品型号: EG2123A
商品编号: C2929092
商品封装: TSSOP-20
包装方式: 编带
商品毛重: 0.2克(g)

商品参数

商品概述

EG2123A是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2123A高端的工作电压可达260V，低端VCC的电源电压范围宽7V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个下拉和上拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+0.8A/-1.2A，采用TSSOP20和QFN20封装。

商品特性

高端悬浮自举电源设计，耐压可达260V
集成三路独立半桥驱动
适应5V、3.3V输入电压
最高频率支持500KHZ
低端VCC电压范围7V - 20V
输出电流能力10+0.8A/-1.2A
VCC和VB带欠压保护
内建死区控制电路
自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通
HIN输入通道高电平有效，控制高端HO输出
LIN(overline)输入通道低电平有效，控制低端LO输出
封装形式：TSSOP20和QFN20无铅无卤符合RHOS标准

应用领域

三相直流无刷电机驱动器

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优惠活动

购买数量

(4000个/圆盘，最小起订量 5 个)

个

起订量：5 个4000个/圆盘

近期成交18单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	三相；半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	灌电流(IOL)	1.2A
	拉电流(IOH)	800mA
	工作电压	7V~20V
	上升时间(tr)	35ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	25ns
	传播延迟 tpLH	320ns
	传播延迟 tpHL	120ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	200uA