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FH3510B
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 194W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.646nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 分裂栅极沟槽 MOSFET 技术
- 出色的散热封装
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻 (RDS(ON))
商品特性
- 漏源电压 (VDS) 60V
- 漏极电流 (ID) 85A
- 漏源导通电阻 (RDS(ON))（栅源电压 (VGS) = 10V 时）<3.7 mΩ
- 漏源导通电阻 (RDS(ON))（栅源电压 (VGS) = 4.5V 时）< 5.0 Ω
- 100% 进行非钳位感性开关 (UIS) 测试
- 100% 进行 ▽VDS 测试
- 静电放电 (ESD) 防护高达 2.0KV（人体模型 (HBM)）
应用领域
- 直流 - 直流 (DC-DC) 转换器
- 电源管理功能
- 同步整流应用
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