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FH3210B
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 237W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.922nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 508pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 902pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOST技术。这项先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- VDSS = 40V， ID = 80A
- RDS(ON) = 7.5 mΩ_(最大值) @ VGS = 10V
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 有环保型器件可供选择
应用领域
- 电机驱动器-不间断电源(UPS)-直流-直流转换器