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FH1806D2
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术设计的N沟道功率MOSFET。该器件具有出色的栅极电荷和导通电阻RDS(on)，可大幅降低开关和导通损耗。因此，它非常适用于AC/DC电源转换、负载开关和工业电源应用
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH1806D2
- 商品编号
- C2929040
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.468克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.009nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 201pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 243pF |
商品概述
FH3419A 是采用沟槽技术、塑料封装（SOT-23-3L）的 P 沟道增强型 MOSFET。
商品特性
- 漏源击穿电压VDSS = 60 V,漏极电流ID = 80 A
- 栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) = 7.9 mΩ(最大值)
- 100%经过雪崩测试
- 易于使用和驱动
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器
- 电池充放电保护
- 负载开关
- 同步整流