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FH1610G
N沟道增强型功率MOSFET,电流:62A,耐压:100V
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- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH1610G
- 商品编号
- C2929043
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 62A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FH3204G采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 超低导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 高电流承载能力
- 100%进行了非钳位感性负载开关(UIS)测试和100%栅极电阻(Rg)测试
应用领域
- 电信、工业自动化、消费电子领域的电源管理
- DC/DC和AC/DC子系统中的电流切换
- 电动工具、电动车、机器人领域的电机驱动