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FH1607B实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FH1607B

1个N沟道 耐压:68V 电流:80A

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描述
特性:68V/80A。 RDS(ON) = 6.8mΩ (典型值) @ VDS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。应用:开关应用。 逆变器系统的电源管理
品牌名称
鑫飞宏
商品型号
FH1607B
商品编号
C2929042
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1.93克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)68V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))7.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)115W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)84nC@10V
输入电容(Ciss)3.203nF
反向传输电容(Crss)277pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)362pF

商品概述

FH4812系列采用创新设计和硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种高效器件,可广泛应用于各种电源应用中。 SO-8封装在所有采用红外回流技术的商业-工业表面贴装应用中广受欢迎,适用于电压转换或开关应用。

商品特性

  • VDS = 30V,ID = 10A
  • RDS(ON) < 11.5 mΩ(最大值)@ VGS = 10 V
  • RDS(ON) < 18 mΩ(最大值)@ VGS = 4.5 V
  • 驱动要求简单
  • 高密度单元设计,实现超低Rdson
  • 快速开关性能
  • 符合RoHS标准且无卤
  • 雪崩电压和电流特性完全表征

数据手册PDF