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FH1604D
1个N沟道 耐压:40V 电流:52A
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- 描述
- 这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH1604D
- 商品编号
- C2929037
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 51.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.37nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 212pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 316pF |
商品概述
FH3401BL采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -4.2A
- 当VGS = -10V时，RDS(ON) < 45mΩ
- 当VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 53mΩ
- 当VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 72mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品标准
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理