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FH6880A
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- FH6880A 是一款专为大电流开关应用设计的 N 沟道 MOS 场效应晶体管。其强大的 EAS 能力和极低的导通电阻 RDS(ON) 适用于 PWM、负载开关应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH6880A
- 商品编号
- C2929039
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.886克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.717nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
P沟道MOSFET
商品特性
- 漏源电压 (VDS) = -17 V，漏极电流 (ID) = -2.0 A
- 栅源电压 (VGS) = -4.5 V时，导通状态漏源电阻 (RDS(ON)) < 115 mΩ
- 栅源电压 (VGS) = -2.5 V时，导通状态漏源电阻 (RDS(ON)) < 165 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理