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FH3415B+
P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:30V 电流:5.5A
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- 描述
- 是P沟道增强型MOSFET，采用沟槽技术，封装为塑料SOT-23。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3415B+
- 商品编号
- C2929028
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@2.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.26nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 182pF |
商品特性
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 0.85 Ω
- 快速开关能力
- 低栅极电荷
- 符合欧盟RoHS指令的无铅产品
- 环保模塑化合物