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FH25P03G6
P沟道 耐压:30V 电流:25A
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- 描述
- 是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS，具备完整功能可靠性认证。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH25P03G6
- 商品编号
- C2929032
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.106克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 26W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.57nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 168pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 209pF |
商品特性
- FH3080K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 80A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 6.5mΩ
- 当栅源电压VGS = 5V时，导通电阻RDS(ON) < 10mΩ
应用领域
- 功率开关应用
- 负载开关
- 不间断电源