温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FH4606B
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：超高密度电池设计。 可靠耐用。 封装形式：SO-8。 工作温度范围：-55~150℃。 N沟道30V/7A，RDS(ON)=18mΩ（典型值）@VGS = 10V，RDS(ON)=25mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 P沟道-30V/- 5.5A，RDS(ON)=40mΩ（典型值）@VGS =-10V，RDS(ON)=62mΩ（典型值）@VGS =-4.5V。应用：笔记本电脑的电源管理系统。 便携式设备和电池的供电系统
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH4606B
- 商品编号
- C2929035
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.178克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF；55pF |
商品概述
FH4811系列采用先进功率创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可广泛应用于各种电源应用。 SO-8封装在所有采用红外回流技术的商业-工业表面贴装应用中广受欢迎，适用于电压转换或开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 11A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 11.5 mΩ（最大值）
- 当栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 18 mΩ（最大值）
- 驱动要求简单
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 快速开关性能
- 符合RoHS标准且无卤
- 雪崩电压和电流特性全面表征