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FH1604G
1个N沟道 耐压:40V 电流:80A
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- 描述
- 这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效率快速开关应用
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH1604G
- 商品编号
- C2929036
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 64W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.37nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 212pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
采用先进沟槽技术设计的N沟道功率MOSFET。该器件具有出色的栅极电荷和导通电阻RDS(on)，可显著降低开关和传导损耗。因此，它非常适用于AC/DC电源转换、负载开关和工业电源应用。
商品特性
- 漏源击穿电压VDSS = 60 V，漏极电流ID = 80 A
- 栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) = 7.9 mΩ（最大值）
- 100%经过雪崩测试
- 易于使用和驱动
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器
- 电池充放电保护
- 负载开关
- 同步整流