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FH3117
耐压:30V 电流:6.2A
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- 描述
- 是P沟道增强型MOSFET，采用沟槽技术，采用塑料封装（SOT-23-3L）。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3117
- 商品编号
- C2929030
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.047克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.27nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 134pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽双扩散金属氧化物半导体 (DMOST) 技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -6.2A
- RDS(ON)(典型值)= 19 mΩ @ VGS = -10V
- RDS(ON)(典型值)= 23 mΩ @ VGS = -4.5V
- 逻辑电平兼容
- 贴片封装(SOT-23-3L)
- 沟槽技术
- 快速开关
应用领域
- 高速开关
- DC-DC转换器
- 锂离子电池