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FH3419A
1个P沟道 耐压:30V 电流:6.5A
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- 描述
- 是P沟道增强型MOSFET，采用沟槽技术，采用塑料封装（SOT-23-3L）。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3419A
- 商品编号
- C2929031
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.047克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 136pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 207pF |
商品概述
FH17P03D系列采用先进功率创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于广泛的电源应用。 TO - 252封装在所有采用红外回流技术的商业 - 工业表面贴装应用中广受欢迎，并且由于其连接电阻低，适用于大电流应用。通孔版本（FH17P03D）可用于薄型应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 简单的驱动要求
- 快速开关特性
- 符合RoHS标准且无卤