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FH30150B
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 735pF |
商品概述
FH3415C+ 是采用沟槽技术、塑料封装（SOT-23）的 P 沟道增强型 MOSFET。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -4.2A
- RDS(ON)（典型值）= 35 mΩ @VGS~~- 4.5V
- RDS(ON)（典型值）= 40 mΩ @VGS~~- 2.5V
- 沟槽技术
- 快速开关
- 高功率和电流处理能力
- 贴片封装（SOT-23）
- 符合 MSL-3 标准
应用领域
- 低电压开关
- DC-DC 转换器
- 锂离子电池保护