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FH3401BL
P沟道增强型功率MOSFET 1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3401BL
- 商品编号
- C2929026
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品特性
- 超高密度电池设计
- 可靠耐用
- 工作温度范围： -55 ~ 150°C
- N沟道：30V/7A，RDS(ON)=18mΩ（typ.）@VGS=10V，RDS(ON)=25mΩ（typ.）@VGS=4.5V
- P沟道：-30V/-5.5A，RDS(ON)=40mΩ (typ.) @VGS~~- 10V，RDS(ON)=62mΩ (typ.) @VGS~~- 4.5V
应用领域
- 笔记本电脑的电源管理系统
- 便携式设备和电池的供电系统