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FH3401B
P沟道增强型功率MOSFET 1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并且可以在低至2.5V的栅极电压下工作。适用于负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3401B
- 商品编号
- C2929025
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品特性
- 漏源电压VDS = -30 V,漏极电流ID = -4.2 A
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 45 mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 53 mΩ
- 当栅源电压VGS = -2.5V时,导通电阻RDS(ON) < 72 mΩ
- 具备高功率和大电流处理能力
- 符合无铅标准
- 采用表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理