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CSD22205L
1个P沟道 耐压:8V 电流:7.4A
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- 描述
- CSD22205L 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD22205L
- 商品编号
- C2871445
- 商品封装
- PicoStar-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.9mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 600mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.05V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.39nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款-8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板栅格阵列 (LGA) NexFET™ 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供更低的导通电阻和栅极电荷。基板栅格阵列 (LGA) 封装是一种带有金属接触板（而非焊球）的器件芯片级封装。
商品特性
- 低电阻
- 1.2mm × 1.2mm 小尺寸封装
- 0.36mm 厚，超薄型
- 无铅
- 栅源电压钳位
- 栅极 ESD 保护
- 符合 RoHS
- 无卤素
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护