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CSD25310Q2T
1个P沟道 耐压:20V 电流:20A
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- 描述
- CSD25310Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、23.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD25310Q2T
- 商品编号
- C2871649
- 商品封装
- WSON-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23.9mΩ@4.5V,5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 655pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
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