- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD25304W1015T
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
- 描述
- CSD25304W1015 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、32.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD25304W1015T
- 商品编号
- C2872207
- 商品封装
- DSBGA-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02825克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32.5mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 750mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.15V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 595pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CSD25304W1015 是 20V P 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。这款 27 mΩ, 20 V P 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.0 mm × 1.5 mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
商品特性
- 超低Qg和Qgd
- 小封装尺寸
- 低高度（高度为 0.62 mm）
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 芯片级封装 (CSP) 1 × 1.5 mm 晶圆级封装
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护