CSD86311W1723
双N沟道,电流:4.5A,耐压:25V
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- 描述
- CSD86311W1723 采用 1.7mm x 2.3mm WLP 封装的双通道共源极、42mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD86311W1723
- 商品编号
- C2872606
- 商品封装
- DSBGA-12
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 585pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 325pF |
商品概述
该器件旨在以尽可能小的外形尺寸实现最低的导通电阻和栅极电荷,同时具备超薄外形的热特性。低导通电阻和栅极电荷,结合小尺寸和超薄外形,使该器件非常适合用于负载管理以及 DC - DC 转换器应用中的电池供电且空间受限的场景。
商品特性
- 双 N 沟道 MOSFET
- 共源极配置
- 小尺寸 1.7 mm × 2.3 mm
- 超低 Qg 和 Qgd
- 无铅
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
应用领域
- 电池管理
- 电池保护
- DC - DC 转换器