CSD16401Q5
1个N沟道 耐压:25V 电流:261A
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描述
CSD16401Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.3mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称TI(德州仪器)
商品型号
CSD16401Q5商品编号
C2872963商品封装
VSON-8(5x6)包装方式
编带
商品毛重
0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 261A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.3mΩ@10V,40A | |
| 功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 21nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 100pF@12.5V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 230pF@12.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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