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CSD16401Q5
1个N沟道 耐压:25V 电流:261A
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- 描述
- CSD16401Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.3mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD16401Q5
- 商品编号
- C2872963
- 商品封装
- SON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 261A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.3nF |
商品概述
这款采用 5mmx6mm SON 封装的 25V、1.3mΩ NexFET 功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率转换应用中的功率损耗。
商品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- SON 5mm × 6mm 塑料封装
应用领域
- 用于网络、电信和计算系统等应用的负载点同步降压转换器
- 经优化可适用于同步 FET 应用
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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