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CSD25402Q3AT
1个P沟道 耐压:20V 电流:72A
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- 描述
- CSD25402Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、8.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD25402Q3AT
- 商品编号
- C2873376
- 商品封装
- VSONP-8(3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.412克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.15V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.79nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 992pF |
商品概述
这款-20V，7.7mΩ NexFET功率MOSFET 被设计成最大限度地减少SON 3x3 封装内的功率转换负载管理应用中的损耗，此封装类型针对器件的尺寸提供出色的热性能。
商品特性
- 4.0A、650V，RDS(on)（典型值）= 2.2Ω（VGS = 10V 时）
- 低栅极电荷
- 低 Crss
- 100% 雪崩测试
- 快速开关
- 改善的 dv/dt 能力
应用领域
- 高频开关模式电源
- 有源功率因数校正
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