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CSD23381F4T
1个P沟道 耐压:12V 电流:2.3A
- 描述
- CSD23381F4 采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、175mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD23381F4T
- 商品编号
- C2872329
- 商品封装
- PicoStar-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068762克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 175mΩ@4.5V,500mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.14nC@6V | |
| 输入电容(Ciss) | 236pF@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
交货周期
订货83-85个工作日购买数量
(250个/圆盘，最小起订量 1000 个)个
起订量：1000 个250个/圆盘
总价金额：
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