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CSD86336Q3D
CSD86336Q3D
- 描述
- CSD86336Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET™电源块
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD86336Q3D
- 商品编号
- C2872339
- 商品封装
- VSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 970pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 33pF |
商品概述
CSD86336Q3D NexFET™电源块是面向同步降压应用的优化设计方案，能够以3.3mmx3.3mm的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对5V栅极驱动应用进行了优化，在与来自外部控制器/驱动器的任一5V栅极驱动配套使用时，可提供一套灵活的解决方案来实现高密度电源。
商品特性
- 半桥电源块
- 12A电流下系统效率高达93.0%
- 工作电流高达20A
- 高频工作（高达1.5MHz）
- 高密度小外形尺寸无引线(SON) 3.3mm×3.3mm封装
- 针对5V栅极驱动进行了优化
- 开关损耗较低
- 超低电感封装
- 符合RoHS标准
- 无卤素
- 无铅引脚镀层
应用领域
- 同步降压转换器
- 高频应用高电流、低占空比应用
- 多相位同步降压转换器
- 负载点(POL)直流/直流转换器
- IMVP、VRM和VRD “应用”列表的
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单