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CSD19532KTT
1个N沟道 耐压:100V 电流:200A
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- 描述
- CSD19532KTT 采用 D2PAK 封装的单路、5.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD19532KTT
- 商品编号
- C2872325
- 商品封装
- DDPAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.702克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 876pF |
商品概述
这款100V、4.6mΩ、D2PAK(TO-263) NexFET功率MOSFET被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。
商品特性
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合RoHS环保标准
- 无卤素
- D²PAK塑料封装
应用领域
- 次级侧同步整流器
- 热插拔
- 电机控制
优惠活动
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