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CSD23285F5
1个P沟道 耐压:12V 电流:3.3A
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- 描述
- CSD23285F5 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD23285F5
- 商品编号
- C2872328
- 商品封装
- PicoStar-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 628pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 397pF |
商品概述
90 mΩ、30V N 沟道 FemtoFET MOSFET 技术经过设计和优化，能更大程度减小在许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
商品特性
- 超低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低阈值电压
- 超小封装尺寸 (0402 外壳尺寸)
- 超薄型封装，厚度为 0.36 mm
- 集成型 ESD 保护二极管，额定值 >4 kV 人体放电模型 (HBM)
- 集成型 ESD 保护二极管，额定值 >2 kV 充电器件模型 (CDM)
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
应用领域
- 针对负载开关应用进行了优化
- 针对通用开关应用进行了优化
- 单节电池应用
- 手持式和移动类应用