温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD18541F5T
1个N沟道 耐压:60V 电流:2.2A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- CSD18541F5 采用 1.5mm x 0.8mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、65mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD18541F5T
- 商品编号
- C2872258
- 商品封装
- PicoStar-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 777pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该54 mΩ、60V N沟道FemtoFET™ MOSFET经过设计和优化，能够最大限度地减小在空间受限的工业负载开关应用中占用的空间，可在替代标准小信号MOSFET的同时大幅减小封装尺寸。
商品特性
- 低导通电阻
- 超低Qg和Qgd
- 超小尺寸
- 1.53 mm × 0.77 mm
- 薄型封装
- 厚度为 0.36 mm
- 集成型ESD保护二极管
- 无铅且无卤素
- 符合RoHS
应用领域
- 工业负载开关应用
- 通用开关应用