- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD17313Q2Q1T
1个N沟道 耐压:30V 电流:5A
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17313Q2Q1T
- 商品编号
- C2872101
- 商品封装
- WSON-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.4W；17W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该30V、24mΩ、2 mm × 2 mm SON NexFET™功率MOSFET，旨在最大程度降低功率转换应用中的损耗，并且针对5V栅极驱动器应用进行了优化，2 mm × 2 mm SON封装针对封装尺寸提供了出色的散热性能。如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品附录。
商品特性
- 符合汽车应用
- 针对5V栅极驱动器进行了优化
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 无铅
- 符合RoHS环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 2 mm × 2 mm 塑料封装
应用领域
- 直流/直流转换器
- 电池和负载管理