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CSD18511Q5AT
N沟道,电流:100A,耐压:40V
- 描述
- CSD18511Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD18511Q5AT
- 商品编号
- C2872102
- 商品封装
- VSONP-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 159A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 309pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 588pF |
商品概述
这款40V, 1.9mΩ, SON 5mm × 6mm NexFET功率MOSFET的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率损耗。
商品特性
- 低RDS(ON)
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 逻辑电平
- 无铅引脚镀层
- 符合RoHS标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm × 6mm塑料封装
应用领域
- 直流 - 直流转换
- 次级侧同步整流
- 电池电机控制