- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD23382F4T
1个P沟道 耐压:12V 电流:3.5A
- 描述
- CSD23382F4 采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD23382F4T
- 商品编号
- C2872206
- 商品封装
- PicoStar-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068762克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 76mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.35nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 235pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CSD23382F4 12V P沟道FemtoFET™MOSFET此 66 mΩ 、12V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够尽可能减小许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET的同时将封装尺寸减小至少 60%。
商品特性
- 低导通电阻
- 超低Qg和Qgd
- 超小封装尺寸 (0402 外壳尺寸)
- 尺寸为1.0 mm × 0.6 mm
- 薄型封装
- 最大高度为 0.36 mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- HBM 额定值 >2 kV
- CDM 额定值 >2 kV
- 铅端子镀层
- 无卤素
- 符合 RoHS
应用领域
- 针对负载开关应用进行了优化
- 针对通用开关应用进行了优化
- 电池应用
- 手持式和移动类应用
- CSD25304W1015T
- ISO1541QDRQ1
- ISO7721FQDQ1
- TLC7524CNS
- ISO5852SDWR
- ISO7730DBQR
- SN75157PSR
- SN75ALS174ADWR
- TPA3136AD2PWP
- ISO7810FDWWR
- LP3856ESX-3.3/NOPB
- LP3985ITLX-285/NOPB
- LMT90DBZR
- TPS560430X3FDBVT
- LP2989IMM-3.0/NOPB
- LP38842MRX-ADJ/NOPB
- LMZ14203EXTTZX/NOPB
- LP38690DTX-2.5/NOPB
- LMZ30604RKGR
- LP2992IM5X-2.5/NOPB
- LMG3410R070RWHT