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CSD17483F4T
1个N沟道 耐压:30V 电流:1.5A
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- 描述
- CSD17483F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、260mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17483F4T
- 商品编号
- C2871105
- 商品封装
- PicoStar-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这是一款200mΩ、30V的N沟道FemtoFET™ MOSFET，其技术经过设计优化，可在许多手持和移动应用中最大限度减小占用面积。该技术可替代标准小信号MOSFET，同时可实现至少60%的占用面积缩减。
商品特性
- 低导通电阻
- 低Qq和Qgd
- 低阈值电压
- 超小占位面积（0402封装尺寸），尺寸为1.0 mm × 0.6 mm
- 超低剖面
- 高度为0.36 mm
- 集成ESD保护二极管
- HBM等级大于4 kV
- CDM等级大于2 kV
- 无铅无卤素
- 符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关应用
- 通用开关应用
- 单节电池应用
- 手持和移动应用