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CSD88599Q5DC
60V半桥NexFET电源块
- 描述
- CSD88599Q5DC 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD88599Q5DC
- 商品编号
- C2871380
- 商品封装
- VSON-22(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 12W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.84nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 870pF |