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CSD13380F3T
1个N沟道 耐压:12V 电流:3.6A
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- 描述
- CSD13380F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD13380F3T
- 商品编号
- C2871092
- 商品封装
- PicoStar-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 76mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 156pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
该 63mΩ、12V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
商品特性
- 低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 高漏极工作电流
- 超小尺寸
- 0.73mm×0.64mm
- 薄型封装
- 最大厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 >3kV 人体放电模型 (HBM)
- 额定值 >2kV 充电器件模型 (CDM)
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
应用领域
- 针对负载开关应用进行了优化
- 针对通用开关应用进行了优化
- 电池应用
- 手持式和移动类应用
优惠活动
购买数量
(250个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个250个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交17单