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CSD16414Q5
1个N沟道 耐压:25V 电流:34A 100A
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- 描述
- CSD16414Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD16414Q5
- 商品编号
- C2870637
- 商品封装
- VSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A；100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V,30A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.65nF@12.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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